CoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深溝槽設計,屏蔽柵于源極短接,屏蔽掉了大部分Qgd電荷,大大降低器件的米勒電容,有效提升器件的開關速度,開關損耗更低,溝槽深度加深降低導通電阻,導通損耗更低。
碳化硅二極管(Schottky Barrier Diode,SBD)與Si二極管相比,顯著優點是阻斷電壓提高,幾乎無反向恢復以及更好的熱穩定性,且反向恢復特性不受溫度影響。
碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)基于碳化硅的材料特性,具有較低的開關損耗和較高的工作頻率,非常貼合電力電子的應用需求。
氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)器件采用pGaN架構,具備常關型特征,與相應的硅(Si)器件相比,具有低一個數量級的柵極電荷和輸出電荷,結合幾乎為零的反向恢復電荷,可以支持更簡單的拓撲結構,實現更高的系統效率。
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