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智能功率模塊IPM（Intelligent Power Module）集成驅動電路、保護電路的專用控制IC，外圍電路設計更加緊湊、容易。控制IC與功率芯片性能的高度匹配使模塊可靠性、穩定性更優，保護功能反應更精準快速。

應用范圍：新能源數據中心智能家電消費電子
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IGBT

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡寫IGBT）功率器件與VDMOS的差別在于n外延層下面不是n+層而是p+層。導通時在n型漂移區產生電導調制效應，大幅降低導通壓降。

應用范圍：新能源數據中心智能家電消費電子
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MOSFET

CoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深溝槽設計，屏蔽柵于源極短接，屏蔽掉了大部分Qgd電荷，大大降低器件的米勒電容，有效提升器件的開關速度，開關損耗更低，溝槽深度加深降低導通電阻，導通損耗更低。

應用范圍：新能源數據中心消費電子智能家電
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SiC SBD

碳化硅二極管（Schottky Barrier Diode，SBD）與Si二極管相比，顯著優點是阻斷電壓提高，幾乎無反向恢復以及更好的熱穩定性，且反向恢復特性不受溫度影響。

應用范圍：智能家電數據中心儲能電源消費電子
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SiC MOSFET

碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)基于碳化硅的材料特性，具有較低的開關損耗和較高的工作頻率，非常貼合電力電子的應用需求。

應用范圍：儲能電源智能家電消費電子數據中心
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GaN HEMT

氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）器件采用pGaN架構，具備常關型特征，與相應的硅（Si）器件相比，具有低一個數量級的柵極電荷和輸出電荷，結合幾乎為零的反向恢復電荷，可以支持更簡單的拓撲結構，實現更高的系統效率。

應用范圍：智能家電儲能電源數據中心消費電子
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