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氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)器件采用pGaN架構(gòu),具備常關(guān)型特征,與相應(yīng)的硅(Si)器件相比,具有低一個數(shù)量級的柵極電荷和輸出電荷,結(jié)合幾乎為零的反向恢復(fù)電荷,可以支持更簡單的拓撲結(jié)構(gòu),實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。
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