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網(wǎng)關(guān)芯片 SF21H8898
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NB-IoT模組
DTU CLP600
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡寫IGBT)功率器件與VDMOS的差別在于n外延層下面不是n+層而是p+層。導(dǎo)通時在n型漂移區(qū)產(chǎn)生電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),大幅降低導(dǎo)通壓降。
CoolSemi的IGBT功率器件采用溝槽柵場截至設(shè)計,外延層厚度降低到60um,Vcesat達(dá)到1.45V,性能媲美Infineon IFX6。
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