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CoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深溝槽設(shè)計(jì),屏蔽柵于源極短接,屏蔽掉了大部分Qgd電荷,大大降低器件的米勒電容,有效提升器件的開關(guān)速度,開關(guān)損耗更低,溝槽深度加深降低導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通損耗更低。
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