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碳化硅二極管(Schottky Barrier Diode,SBD)與Si二極管相比,顯著優點是阻斷電壓提高,幾乎無反向恢復以及更好的熱穩定性,且反向恢復特性不受溫度影響。
碳化硅二極管結合了肖特基結構所擁有的出色的開關特性和PiN結構所擁有的低漏電流的特點
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