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龍騰開發的平面柵碳化硅金屬氧化物場效應晶體管(SiC MOSFET)產品,采用小元胞設計JFET注入設計、領先的襯底減薄技術及優異的終端場限環結構,使得導通電阻、泄漏電流和擊穿電壓等性能良好折衷,并且展現出較快的開關速度和良好的抗雪崩能力
產品特點:
擊穿電壓高比導通電阻低開關損耗低最大工作結溫175℃
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